Grav silikòn Junda a se medya sablaj ki pi di ki disponib la. Pwodui kalite siperyè sa a fabrike ak yon grenn an blòk ak angilè. Medya sa a ap kraze kontinyèlman, sa ki lakòz bor byen file. Dite Grav silikòn pèmèt tan sablaj pi kout parapò ak medya ki pi mou.
Akòz pwopriyete chimik ki estab li yo, konduktivite tèmik ki wo, koyefisyan ekspansyon tèmik ki ba, ak bon rezistans mete, carbure Silisyòm gen anpil lòt itilizasyon apa de itilizasyon kòm abrazif. Pa egzanp, yo aplike poud carbure Silisyòm sou roue a oswa silenn yon turbin dlo pa yon pwosesis espesyal. Miray enteryè a ka amelyore rezistans mete li epi pwolonje lavi sèvis li pa 1 a 2 fwa; materyèl refraktè kalite siperyè ki fèt avèk li a gen rezistans chòk chalè, ti gwosè, pwa lejè, gwo fòs ak bon efè ekonomize enèji. Carbide Silisyòm ki ba kalite (ki gen anviwon 85% SiC) se yon ekselan dezoksidan. Li ka akselere vitès fabrikasyon asye a, epi fasilite kontwòl konpozisyon chimik la epi amelyore kalite asye a. Anplis de sa, carbure Silisyòm lajman itilize tou pou fè baton carbure Silisyòm pou eleman chofaj elektrik.
Karbid Silisyòm gen yon dite ki wo anpil, ak yon dite Mohs 9.5, dezyèm sèlman apre dyaman ki pi di nan mond lan (10). Li gen yon ekselan konduktivite tèmik, li se yon semi-kondiktè, epi li ka reziste oksidasyon nan tanperati ki wo.
Akòz pwopriyete chimik ki estab li yo, konduktivite tèmik ki wo, koyefisyan ekspansyon tèmik ki ba, ak bon rezistans mete, carbure Silisyòm gen anpil lòt itilizasyon apa de itilizasyon kòm abrazif. Pa egzanp, yo aplike poud carbure Silisyòm sou roue a oswa silenn yon turbin dlo pa yon pwosesis espesyal. Miray enteryè a ka ogmante rezistans mete li epi pwolonje lavi sèvis li pa 1 a 2 fwa; materyèl refraktè ki fèt avèk li a gen rezistans chòk chalè, ti gwosè, pwa lejè, gwo fòs ak bon efè ekonomize enèji. Carbide Silisyòm ki ba kalite (ki gen anviwon 85% SiC) se yon ekselan dezoksidan. Li ka akselere vitès fabrikasyon asye a, fasilite kontwòl konpozisyon chimik la epi amelyore kalite asye a. Anplis de sa, carbure Silisyòm lajman itilize tou pou fè baton carbure Silisyòm pou eleman chofaj elektrik.
Espesifikasyon pou grenn Silisyòm Carbide | |
Gwosè may | Gwosè Patikil Mwayèn(plis may la piti, se plis grenn yo graj) |
8May | 45% 8 may (2.3 mm) oswa pi gwo |
10 May | 45% 10 may (2.0 mm) oswa pi gwo |
12 May | 45% 12 may (1.7 mm) oswa pi gwo |
14May | 45% 14 may (1.4 mm) oswa pi gwo |
16May | 45% 16 may (1.2 mm) oswa pi gwo |
20 May | 70% 20 may (0.85 mm) oswa pi gwo |
22May | 45% 20 may (0.85 mm) oswa pi gwo |
24May | 45% 25 may (0.7 mm) oswa pi gwo |
30 May | 45% 30 may (0.56 mm) oswa pi gwo |
36May | 45% 35 may (0.48 mm) oswa pi gwo |
40 May | 45% 40 may (0.42 mm) oswa pi gwo |
46May | 40% 45 may (0.35 mm) oswa pi gwo |
54May | 40% 50 may (0.33 mm) oswa pi gwo |
60 May | 40% 60 may (0.25 mm) oswa pi gwo |
70 May | 40% 70 may (0.21 mm) oswa pi gwo |
80 May | 40% 80 may (0.17 mm) oswa pi gwo |
90 May | 40% 100 may (0.15 mm) oswa pi gwo |
100 may | 40% 120 may (0.12 mm) oswa pi gwo |
120 May | 40% 140 may (0.10 mm) oswa pi gwo |
150 may | 40% 200 may (0.08 mm) oswa pi gwo |
180 May | 40% 230 may (0.06 mm) oswa pi gwo |
220 May | 40% 270 may (0.046 mm) oswa pi gwo |
240 May | 38% 325 may (0.037 mm) oswa pi gwo |
280 May | Medyan: 33.0-36.0 mikron |
320 May | Medyan: 26.3-29.2 mikron |
360May | Medyan: 20.1-23.1 mikron |
400 may | Medyan: 15.5-17.5 mikron |
500 may | Medyan: 11.3-13.3 mikron |
600 may | Medyan: 8.0-10.0 mikron |
800 may | Medyan: 5.3-7.3 mikron |
1000 may | Medyan: 3.7-5.3 mikron |
1200 may | Medyan: 2.6-3.6 mikron |
Pnon pwodwi | Pwopriyete fizik tipik yo | Analiz Chimik Pwòch | |||||||
Karbid Silisyòm | Koulè | Fòm grenn | Kontni mayetik | Dite | Gravite espesifik | SiC | 98.58% | Fe | 0.11% |
Nwa | Angilè | 0.2 – 0.5 % | 9.5 Mohs | 3.2 | C | 0.05% | Al | 0.02% | |
Si | 0.80% | CaO | 0.03% | ||||||
SiO2 | 0.30% | MgO | 0.05% |